图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTMFS4835N |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 12A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 3.5 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 39nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3100pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 890mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
| 供应商器件封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SO-FL |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| RDS -于 | 3.5@11.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10|16 ns |
| 典型上升时间 | 23|31 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 30|22 ns |
| 典型下降时间 | 10|13 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 3.5@11.5V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SO-FL |
| 最大功率耗散 | 62500 |
| 最大连续漏极电流 | 20 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Flat |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 13A (Ta), 130A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
| 供应商设备封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.5 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 890mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3100pF @ 12V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 52nC @ 11.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTMFS4835NT1GOSCT |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 20 A |
| 正向跨导 - 闵 | 21 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 3.5 mOhms |
| 功率耗散 | 62.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 23 ns, 31 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 10 ns, 13 ns |
| 高度 | 1.1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 5.1mm |
| 典型输入电容值@Vds | 3100 pF @ 12 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 5 mΩ |
| 通道类型 | N |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 62.5 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 6.1mm |
| 尺寸 | 5.1 x 6.1 x 1.1mm |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns，16 ns |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns，30 ns |
| 封装类型 | SO-8FL |
| 最大连续漏极电流 | 104 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | FETs - MOSFET - N-Channel |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| 长度 | 4.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5 mOhms |
| 系列 | NTMFS4835N |
| 身高 | 1.05 mm |
| Pd - Power Dissipation | 62.5 W |
| 技术 | Si |
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